两个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用,总是烧MOSFET,求教

2019-07-16 14:40发布

本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑

如题,因为要对电池进行管理,对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电,所以用两个N沟道增强型MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间,但总是烧坏MOSFET,MOSFET选用的是IXFN420N10T,Ids可达420A,Vds最大100V,而开关电源是适配48V,电池是铅酸电池48V的,驱动信号开通MOSFET电压Vgs=20V,关断电压Vgs=-4V,为何会烧MOSFET,而且烧了两次都是电流流经的第一个管子,还请经验丰富的工程师不吝赐教。下图是实物接线图

2个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用 2个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用
友情提示: 此问题已得到解决,问题已经关闭,关闭后问题禁止继续编辑,回答。
该问题目前已经被作者或者管理员关闭, 无法添加新回复
19条回答
星痕舞动
1楼-- · 2019-07-16 14:57
 精彩回答 2  元偷偷看……
暗星归来
2楼-- · 2019-07-16 15:23
补充一下,两次烧MOSFET都是在放电时烧的,负载使用的是电子负载,负载电流150A,电压和电池电压保持一致
只看今朝
3楼-- · 2019-07-16 19:20
先不管驱动做得怎样,MOS管的100V电压余量本来就很小了,就算没有噪声Q14的VDS已经达到了96V左右。你能保证不过电压吗?
暗星归来
4楼-- · 2019-07-16 23:42
只看今朝 发表于 2016-9-6 20:47
先不管驱动做得怎样,MOS管的100V电压余量本来就很小了,就算没有噪声Q14的VDS已经达到了96V左右。你能保证不过电压吗?

我用万用表量测的,在栅极-源极电压为负压状态下,开关电源负极到电池负极的电压只有50V,你说的Q14的Vds达到96V是怎么来的?不明白,还请赐教
只看今朝
5楼-- · 2019-07-17 01:16
暗星归来 发表于 2016-9-7 09:10
我用万用表量测的,在栅极-源极电压为负压状态下,开关电源负极到电池负极的电压只有50V,你说的Q14的Vds达到96V是怎么来的?不明白,还请赐教

是我想岔了,把电池和想成正负相连了  不好意思!功力不够,帮不上忙……
人在塔在
6楼-- · 2019-07-17 05:42
 精彩回答 2  元偷偷看……

一周热门 更多>