两个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用,总是烧MOSFET,求教

2019-07-16 14:40发布

本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑

如题,因为要对电池进行管理,对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电,所以用两个N沟道增强型MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间,但总是烧坏MOSFET,MOSFET选用的是IXFN420N10T,Ids可达420A,Vds最大100V,而开关电源是适配48V,电池是铅酸电池48V的,驱动信号开通MOSFET电压Vgs=20V,关断电压Vgs=-4V,为何会烧MOSFET,而且烧了两次都是电流流经的第一个管子,还请经验丰富的工程师不吝赐教。下图是实物接线图

2个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用 2个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用
友情提示: 此问题已得到解决,问题已经关闭,关闭后问题禁止继续编辑,回答。
该问题目前已经被作者或者管理员关闭, 无法添加新回复
19条回答
暗星归来
1楼-- · 2019-07-18 10:53
nealcc 发表于 2016-9-8 12:34
你的S脚接到哪里的。
另外你的G脚控制电压是多少,如果MOS管没有完全导通,发热会很严重,所以,一般都会用P管来做电源控制!

非常谢谢各位的热心解答,问题已经找到了,因为我用了两路电池,而两组MOS的驱动电压没有做隔离,使用独立的电源就好了

一周热门 更多>