列兵老虎 发表于 2016-3-2 07:17
给楼主两个电路参考： 场效应管电机驱动-MOS管H桥原理 http://www.dzkf.cn/html/zonghejishu/2010/0916/4017.html

关于直流电机 H 桥驱动方案的选择 http://www.embedream.com/bjzm/2009-03-09/76.html

在这个电路图上，如果Vcc和Vdd都是正的15V，那电源的负极要接在哪里？HIN如果输入0到+15V方波，HO输出应该是什么样的波形？

     光耦隔离和电磁隔离的作用

产品特点：
   *输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A
   *高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V
   *适应5V，3.3V 15V输入可方便与TTL，CMOS电平相匹配。
   *最高频率支持500KHZ
   *输出的电源端的电压范围：10-20V
   *ton/off 时间：130ns/120ns
   * Deley Macthing (type) 10ns
   *允许逻辑电路参考地VSS 与功率电路参考地COM之间的5V正负偏移量。
  

内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出
LIN 输入通道高电平有效，控制低端LO 输出
外围器件少
静态电流小于5uA，非常适合电池场合

给你看看SLM2110S产品的特点先，
*输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A
   *高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V
   *适应5V，3.3V 15V输入可方便与TTL，CMOS电平相匹配。
   *最高频率支持500KHZ
   *输出的电源端的电压范围：10-20V
   *ton/off 时间：130ns/120ns
   * Deley Macthing (type) 10ns
   *允许逻辑电路参考地VSS 与功率电路参考地COM之间的5V正负偏移量。
你就知道2110S的作用了。