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Blob 在S3C44B0 上的移植
Bootloader 是嵌入式系统软件开发的第一个环节， 它紧密地将软硬件衔接在一起，对于一个嵌入式设备后续的软件开发至关重要。Blob 是一款功能强大的Bootloader，S3C44B0 是三星公司一款基于ARM7TDMI的嵌入式通用处理器。本文具体介绍Blob 在基于S3C44B0 的开发板上的运行原理与移植过程。
Bootloader对于嵌入式设备来说至关重要，它涉及到许多硬件相关的知识。对于自制的嵌入式开发板， 它又是不可跳过的步骤，所以很多人对于它感到很头痛。本文将以一款优秀的Bootloader Blob 为例，具体讲解它的运行原理以及在S3C44B0通用处理器上的移植过程，为在嵌入式设备上的后续软件开发打下基础 。
1 Blob 简介
Blob 是Boot Loader Object的缩写，是一款功能强大的Bootloader。它遵循GPL，源代码完全开放。Blob 既可以用来简单的调试，也可以启动Linuxkernel。Blob 最初是Jan-Derk Bakker和Erik Mouw 为一块名为LART(Linux Advanced RadioTerminal)的板子写的，该板使用的处理器是StrongARM SA-1100。现在Blob 已经被移植到了很多CPU上，包括S3C44B0。
MBA44B0 是一款基于S3C44B0 的开发板。本文将以运行在MBA44B0 开发板上的Blob 的源代码为基础，再针对自己的开发板进行Blob 的移植。开发板的主要配置为：
为Blob 程序启动流程。
Blob 编译后的代码定义最大为64KB，并且这64KB又分成两个阶段来执行。第一阶段的代码在start.s中定义，大小为1KB，它包括从系统上电后在0x00000000 地址开始执行的部分。这部分代码运行在Flash 中，它包括对S3C44B0的一些寄存器的初始化和将Blob 第二阶段代码从Flash 拷贝到SDRAM 中。除去第一阶段的1KB 代码，剩下的部分都是第二阶段的代码。第二阶段的起始文件为trampoline.s，被复制到SDRAM后，就从第一阶段跳转到这个文件开始执行剩余部分代码。第二阶段最大为63KB，单词trampoline词义为“蹦床”，所以在这个程序中进行一些BSS 段设置， 堆栈的初始化等工作后，最后跳转到main.c 进入C 函数。 ARM
我们的移植主要需要对上述的几个文件进行修改。在进行移植以前，首先需要对存储器的地址空间分配了解清楚。关于存储器空间的定义在/include/blob arch/mba44b0.h中。
2MB 的Flash 空间分别分配给了Blob、kernel、ramdisk。系统上电后， 先执行第一阶段代码， 进行相应的初始化后，将Blob 第二阶段代码复制到RAM 地址blob_abs_base，然后跳转到第二阶段开始执行。
在第二阶段中， 从汇编跳转到C 的Main()函数， 继续进行如下工作： http://www.armforum.cn
在SDRAM 的存储器空间分配图中， 可以看到有blob_base 和blob_abs_base两部分。blob_abs_base 大家已经知道了， 是Blob 将自身的第二阶段代码复制到SDRAM 所在的区域，而blob_base则是从Blob 进行自升级或调试的区域。举例说明， 假如Blob 已经能正常运行了，但是对于Flash的擦写还不能支持得很好，就可以使用已经运行的Blob 通过串口将新编译好的Blob 下载到SDRAM 中该区域进行运行调试。调试通过后，可以通过Blob 烧写进Flash，覆盖原来的Blob 进行升级。这样就不必因为对Blob做了一点小的改动就重新烧写Flash，从而减少了烧写Flash 的次数。 字串8
3 Blob 的移植
对Blob 的运行有了一定了解后， 就可以进行Blob的具体移植了。首先要修改的是start.s 文件，具体工作如下： ARM开**坛
在memsetup-s3c44b0.s 中，修改MEMORY_CONFIG 中设置存储器相关的配置， 并设定SDRAM 刷新速度， 相关源码如下所示： ARM开**坛
MEMORY_CONFIG :
.long 0x11101002 /*进行存储器的配置，
SDRAM刷新速度配置等*/
? /*这里需要根据不同情况进行修改*/
.long 0x20
.globl memsetup /*定义全局标号，以便能被start.s调用*/
memsetup:
ldr r0, =MEMORY_CONFIG /*进行配置*/
ldmia r0,{r1-r13}
ldr r0, =0x01c80000
stmia r0,{r1-r13}
mov pc, lr /*程序返回*/
Trampoline.s 不需要进行修改。
进入Main()后，串口传输速度在结构体blob_status中设定：
blob_status.downloadSpeed = baud_115200;
blob_status.terminalSpeed = baud_115200;
串口的初始化相关代码定义在函数s3c44b0_serial_init()中，该函数在serial-s3c44b0.c中。对于S3C44B0的串口，一般只需要初始化下面四个寄存器串口就可以正常工作。假如不能工作， 可能是系统时钟设置不同， 只需要按照下列公式计算出divisor：
divisor=(int)(MCLK/(baud ×16))-1
替换下面的divisor 即可。其中MCLK 为系统主频，baud 为波特率。
/*serial-s3c44b0.c中s3c44b0_serial_init()函数初始化串口0部分*/
REG(UFCON0) = 0x0; /*关闭FIFO*/
REG(ULCON0) = 0x03; /* 设置数据位8，无奇偶校验，1位停止位*/ ARM开**坛
REG(UCON0) = 0x05; /*脉冲中断，中断请求或查询模式*/
REG(UBRDIV0) = divisor;/*设置波特率*/
至此，初级移植工作已经完成，运行./configurewith-board=mba-44b0-with-linux-prefix=/path/to/linux-src进行相关配置。在此还可以加一些开关选项进行配置， 具体请参阅Blob 自带文档。假如没有错误，就可以make 进行编译了。假如编译正确，可在blob/src/blob下得到bin格式的Blob，将其烧写到Flash 即可运行。关于Blob第一部分和第二部分的链接脚本，可以在start-ld-script和rest-ld-script.in中看到相关的链接地址，编译器是根据这些地址链接程序的。在blob/src/blob/Makefile 中可以看到，两个阶段分别以blob-start和blob-rest来编译，最后通过dd 命令将它们组成一个完整的Blob 二进制文件。
(1)命令行的修改
在笔者使用的Blob版本中，BackSpace 不能起作用，这对于调试非常的不方便。查阅源码， 可以发现在src/blob/lib/command.c中，GetCommand 函数中定义着人机交互部分。将else if(c ==’’这一行修改为else if(c==0x7f)，即可支持Backspace 功能。
(2)Blob 的运行
假如在前面的工作中没有什么问题的话， 将blob/src/blob/blob 文件烧写进Flash 后，上电就可以从串口看到欢迎信息。加载linux 内核和文件系统的后，等待几秒，假如没有操作，将启动操作系统，否则出现提示符： ARM开**坛
Blob>
表示进入Blob。在该模式下提供了许多命令，可以方便地进行硬件调试、系统升级和系统引导。
Blob 常用的命令有：blob、boot、xdownload 、flashreload、dump、reblob、status等。
不同的Flash 操作有所不同。笔者发现通过Blob 烧写Flash 的软件有些问题，为了调试方便，决定编写自己的Flash 驱动程序。
(3)Flash 驱动程序的编写
Flash 作为非易失性的存储器，在开发板上的作用是能保存数据且掉电不丢失。和EEPROM 最大的不同在于，对Flash编程不需要对特定的引脚加高电压，只是对特定地址写入一组特定的数据即可进行编程， 这样就直接在开发板上通过软件进行擦写，不必使用特定的编程器。但是它的缺点也是很明显的： 操作过于复杂，SST39VF160 是SST 公司的一款16M 位的Flash，16位数据线宽度，共2MB 容量，分为512 个扇区，每个扇区有4KB，或32 个块(block)，每个块64KB。对Flash 编程之前，必须对相应的扇区、块或者整个芯片进行擦除后，才能进行编程。
通过S3C44B0 进行Flash的烧写需要注重几点：首先，S3C44B0 外部地址总线是根据外部数据总线宽度连接的。例如， 本开发板外部数据总线为16 位宽度，这样S3C44B0 的地址线A0 就没有接入外部地址总线，而是从A1 接起。
存储器在不同总线宽度下与S3C44B0 地址线的接法
字串5
存储器地址引脚8 位数据总线时S3C44B0 引脚16 位数据总线时
S3C44B0 引脚32 位数据总线时
S3C44B0 引脚A0A0A1A2A1A1A2A3A2A2A3A4A3A3A4A5……………………
Bootloader 是嵌入式系统软件开发的第一个环节， 它紧密地将软硬件衔接在一起，对于一个嵌入式设备后续的软件开发至关重要。Blob 是一款功能强大的Bootloader，S3C44B0 是三星公司一款基于ARM7TDMI的嵌入式通用处理器。本文具体介绍Blob 在基于S3C44B0 的开发板上的运行原理与移植过程。
Bootloader对于嵌入式设备来说至关重要，它涉及到许多硬件相关的知识。对于自制的嵌入式开发板， 它又是不可跳过的步骤，所以很多人对于它感到很头痛。本文将以一款优秀的Bootloader Blob 为例，具体讲解它的运行原理以及在S3C44B0通用处理器上的移植过程，为在嵌入式设备上的后续软件开发打下基础 。
1 Blob 简介
Blob 是Boot Loader Object的缩写，是一款功能强大的Bootloader。它遵循GPL，源代码完全开放。Blob 既可以用来简单的调试，也可以启动Linuxkernel。Blob 最初是Jan-Derk Bakker和Erik Mouw 为一块名为LART(Linux Advanced RadioTerminal)的板子写的，该板使用的处理器是StrongARM SA-1100。现在Blob 已经被移植到了很多CPU上，包括S3C44B0。
MBA44B0 是一款基于S3C44B0 的开发板。本文将以运行在MBA44B0 开发板上的Blob 的源代码为基础，再针对自己的开发板进行Blob 的移植。开发板的主要配置为：
- 三星ARM7 处理器S3C44B0 ；
- 2MB 的Flash，地址范围0x0000 0000~0x0020 0000；
- 8MB 的SDRAM，地址范围0x0c00 0000~0x0c80 0000；
- 1 个串口，2 个LED 灯；
- JTAG 接口；
- 晶振为6MHz ，系统主频为60MHz 。
为Blob 程序启动流程。
Blob 编译后的代码定义最大为64KB，并且这64KB又分成两个阶段来执行。第一阶段的代码在start.s中定义，大小为1KB，它包括从系统上电后在0x00000000 地址开始执行的部分。这部分代码运行在Flash 中，它包括对S3C44B0的一些寄存器的初始化和将Blob 第二阶段代码从Flash 拷贝到SDRAM 中。除去第一阶段的1KB 代码，剩下的部分都是第二阶段的代码。第二阶段的起始文件为trampoline.s，被复制到SDRAM后，就从第一阶段跳转到这个文件开始执行剩余部分代码。第二阶段最大为63KB，单词trampoline词义为“蹦床”，所以在这个程序中进行一些BSS 段设置， 堆栈的初始化等工作后，最后跳转到main.c 进入C 函数。 ARM
我们的移植主要需要对上述的几个文件进行修改。在进行移植以前，首先需要对存储器的地址空间分配了解清楚。关于存储器空间的定义在/include/blob arch/mba44b0.h中。
2MB 的Flash 空间分别分配给了Blob、kernel、ramdisk。系统上电后， 先执行第一阶段代码， 进行相应的初始化后，将Blob 第二阶段代码复制到RAM 地址blob_abs_base，然后跳转到第二阶段开始执行。在第二阶段中， 从汇编跳转到C 的Main()函数， 继续进行如下工作： http://www.armforum.cn
- 外围的硬件初始化( 串口，USB 等)；
- 从Flash 中将kernel 加载到SDRAM 的kernel 区域；
- 从Flash 中的ramdisk 加载到SDRAM 的ramdisk 区域；
- 根据用户选择，进入命令行模式或启动kernel。
在SDRAM 的存储器空间分配图中， 可以看到有blob_base 和blob_abs_base两部分。blob_abs_base 大家已经知道了， 是Blob 将自身的第二阶段代码复制到SDRAM 所在的区域，而blob_base则是从Blob 进行自升级或调试的区域。举例说明， 假如Blob 已经能正常运行了，但是对于Flash的擦写还不能支持得很好，就可以使用已经运行的Blob 通过串口将新编译好的Blob 下载到SDRAM 中该区域进行运行调试。调试通过后，可以通过Blob 烧写进Flash，覆盖原来的Blob 进行升级。这样就不必因为对Blob做了一点小的改动就重新烧写Flash，从而减少了烧写Flash 的次数。 字串8
3 Blob 的移植
对Blob 的运行有了一定了解后， 就可以进行Blob的具体移植了。首先要修改的是start.s 文件，具体工作如下： ARM开**坛
- 屏蔽掉看门狗WTCON ；
- 配置寄存器SYSCFG 暂时关闭缓存，等Blob 运行稳定后再开启提高性能；
- 初始化I/O 寄存器；
- 屏蔽中断；
- 配置PLLCON 寄存器，决定系统的主频；
- 调用ledasm.s，在串口未初始化时led 状态对于程序是否正常运行很重要；
- 调用memsetup-s3c44b0.s 中的memsetup 进行初始化存储器空间， 初始化SDRAM 刷新速率等；
- 将第二阶段复制到SDRAM ， 并且跳转到第二阶段。
在memsetup-s3c44b0.s 中，修改MEMORY_CONFIG 中设置存储器相关的配置， 并设定SDRAM 刷新速度， 相关源码如下所示： ARM开**坛
MEMORY_CONFIG :
.long 0x11101002 /*进行存储器的配置，
SDRAM刷新速度配置等*/
? /*这里需要根据不同情况进行修改*/
.long 0x20
.globl memsetup /*定义全局标号，以便能被start.s调用*/
memsetup:
ldr r0, =MEMORY_CONFIG /*进行配置*/
ldmia r0,{r1-r13}
ldr r0, =0x01c80000
stmia r0,{r1-r13}
mov pc, lr /*程序返回*/
Trampoline.s 不需要进行修改。
进入Main()后，串口传输速度在结构体blob_status中设定：
blob_status.downloadSpeed = baud_115200;
blob_status.terminalSpeed = baud_115200;
串口的初始化相关代码定义在函数s3c44b0_serial_init()中，该函数在serial-s3c44b0.c中。对于S3C44B0的串口，一般只需要初始化下面四个寄存器串口就可以正常工作。假如不能工作， 可能是系统时钟设置不同， 只需要按照下列公式计算出divisor：
divisor=(int)(MCLK/(baud ×16))-1
替换下面的divisor 即可。其中MCLK 为系统主频，baud 为波特率。
/*serial-s3c44b0.c中s3c44b0_serial_init()函数初始化串口0部分*/
REG(UFCON0) = 0x0; /*关闭FIFO*/
REG(ULCON0) = 0x03; /* 设置数据位8，无奇偶校验，1位停止位*/ ARM开**坛
REG(UCON0) = 0x05; /*脉冲中断，中断请求或查询模式*/
REG(UBRDIV0) = divisor;/*设置波特率*/
至此，初级移植工作已经完成，运行./configurewith-board=mba-44b0-with-linux-prefix=/path/to/linux-src进行相关配置。在此还可以加一些开关选项进行配置， 具体请参阅Blob 自带文档。假如没有错误，就可以make 进行编译了。假如编译正确，可在blob/src/blob下得到bin格式的Blob，将其烧写到Flash 即可运行。关于Blob第一部分和第二部分的链接脚本，可以在start-ld-script和rest-ld-script.in中看到相关的链接地址，编译器是根据这些地址链接程序的。在blob/src/blob/Makefile 中可以看到，两个阶段分别以blob-start和blob-rest来编译，最后通过dd 命令将它们组成一个完整的Blob 二进制文件。
(1)命令行的修改
在笔者使用的Blob版本中，BackSpace 不能起作用，这对于调试非常的不方便。查阅源码， 可以发现在src/blob/lib/command.c中，GetCommand 函数中定义着人机交互部分。将else if(c ==’’这一行修改为else if(c==0x7f)，即可支持Backspace 功能。
(2)Blob 的运行
假如在前面的工作中没有什么问题的话， 将blob/src/blob/blob 文件烧写进Flash 后，上电就可以从串口看到欢迎信息。加载linux 内核和文件系统的后，等待几秒，假如没有操作，将启动操作系统，否则出现提示符： ARM开**坛
Blob>
表示进入Blob。在该模式下提供了许多命令，可以方便地进行硬件调试、系统升级和系统引导。
Blob 常用的命令有：blob、boot、xdownload 、flashreload、dump、reblob、status等。
不同的Flash 操作有所不同。笔者发现通过Blob 烧写Flash 的软件有些问题，为了调试方便，决定编写自己的Flash 驱动程序。
(3)Flash 驱动程序的编写
Flash 作为非易失性的存储器，在开发板上的作用是能保存数据且掉电不丢失。和EEPROM 最大的不同在于，对Flash编程不需要对特定的引脚加高电压，只是对特定地址写入一组特定的数据即可进行编程， 这样就直接在开发板上通过软件进行擦写，不必使用特定的编程器。但是它的缺点也是很明显的： 操作过于复杂，SST39VF160 是SST 公司的一款16M 位的Flash，16位数据线宽度，共2MB 容量，分为512 个扇区，每个扇区有4KB，或32 个块(block)，每个块64KB。对Flash 编程之前，必须对相应的扇区、块或者整个芯片进行擦除后，才能进行编程。
通过S3C44B0 进行Flash的烧写需要注重几点：首先，S3C44B0 外部地址总线是根据外部数据总线宽度连接的。例如， 本开发板外部数据总线为16 位宽度，这样S3C44B0 的地址线A0 就没有接入外部地址总线，而是从A1 接起。
存储器在不同总线宽度下与S3C44B0 地址线的接法
字串5
存储器地址引脚8 位数据总线时S3C44B0 引脚16 位数据总线时
S3C44B0 引脚32 位数据总线时
S3C44B0 引脚A0A0A1A2A1A1A2A3A2A2A3A4A3A3A4A5……………………
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