建议增加个NMOS控制PMOS G极

本帖最后由 列兵老虎 于 2015-12-7 14:27 编辑

火调王工 发表于 2015-12-4 10:03
效应管的导通与否是由GS电压决定的，图中G的电压3.3V对于S的电压5V是负的，可以导通的。图中VDD没有标出，它才是供电端。

楼主的问题是：g端接3.3v s端接5v 场效应管是否会截止 ？
我的回答：IRFR5305会截止，不能导通。5V-3.3V＝1.7V，MOS管g与s间电压差为-1.7V。很明显，IRFR5305管不能导通。（注：换其它型号MOS，是否能截止要看管子的参数Vgs）

当接3.3V端子改接地时，MOS管G与S电压差为5V，此时，只有在此时IRFR5305才能导通。

P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通。当然，导通程度与GS电压大小有关，要达到彻底导通（DS降到0.1V），负2--4V也还嫌小，要达到负15V才行。

本帖最后由 nealcc 于 2015-12-7 11:05 编辑

列兵老虎 发表于 2015-12-5 20:26
这个电路比较经典，但用在这里与上图相比较，没有改善MOS管导通效果，相反更糟。

上图，那个3.3V端子接地时，则在5V下MOS管Vgs电压约-4.99V

3.3V，可能随温度会有漏电流！

本帖最后由 列兵老虎 于 2015-12-7 11:57 编辑

手头没有IRFR5305，找了IRF9Z34，短接GD后，实测Vgs特性。每格单位已在图里标注

唉，说这么热乎，楼主亲自实验一下就成了，把结果公布出来，让大家学习一下，加深印象。