< 总是没有人回答我的问题，我的各种疑问。也不知道为啥，在学习群里问，别人老是先问我是要干嘛，但是我是觉得，就算不干嘛，至少也得先把问题弄清楚吧。唉
  

< ：TI_MSP430_内容页_SA7 --> 身边木有一个可以学习的人，从来一个人在孤军作战，虽然现在学东西，群里还有朋友一起学，一起玩。以后学FPGA，又是一个人了，一个人摸索的日子，何其蛋疼。

写FLASH这个操作是需要一些代码来执行的，那么这段代码在哪里执行呢？一般烧写在FLASH里执行，这就是所谓的“”从FLASH开始擦除”。但是”从FLASH开始擦除”只能擦除这段操作代码所在段以外的段（段的概念一般MSP430介绍上都有），如果自身所在的段要擦除，就会导致把擦除FLASH的代码也擦除了，极有可能导致后面的cpu执行代码不可预知的错误（可以这样理解吧，代码断了呀）。所以这时只能所谓“从RAM开始擦除”登场了，就是把执行擦除的代码拷贝到ram中执行。好像从RAM开始擦除有点不同的是cpu不会像”从FLASH开始擦除”那样cpu停止等待擦除完成，cpu不会停止，所有操作方式有点不同，例如好像要不断查询一些标志位以确定擦除完成。不过您如果使用的是小FLASH容量的cpu一般用不到  “从RAM开始擦除” 吧？

具体看手册呀，要勤劳一点呀，中文的虽然不少有许多错误，也得看呀，英文好就直接看英文的呀。如果您是大学生，我就倚老卖老说教一句：英文还是要不能懒呀。当然，别人直接点到可能更快一点。 我可能会结合我的实例介绍一点入门吧。靠，又说漏嘴了 敲字也费时间呀，您起码得感谢我苦劳。我对msp430也是接触不久，说得不一定对，就当帮顶

[ 本帖最后由 wangfuchong 于 2011-11-4 21:04 编辑 ]

谢谢这位兄弟的回答。其实我刚开始的时候也是这么理解的，后来又不知道怎么想了。。。现在还是不懂如何从RAM开始执行，因为不懂代码如何放在RAM中，我从手册上的汇编程序只看到检测BUSY位的区别。
还没搞懂，郁闷了