实例解密“ZVS反激开关电源”！

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1. 反激应用中MOSFET的损耗分析 MOSFET的损耗主要包括如下几个部分： 1导通损耗 导通损耗是比较容易理解的，即流过MOSFET的RMS电流在MOSFET的Rdson上的I^2R损耗。降低这个损耗也是大家最容易想到的，例如选用更低Rdson的管子，设计变换器进入更深的连续模式来降低RMS电流等。然而需要注意的是，Rdson和Q互相矛盾，最终，只能在两者之间找到一个平衡点。 2关...