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文章经授权转载自半导体行业观察(ID:icbank)近日,三星公布了其半导体工艺路线图,除了今年下半年使用EUV的7nm量产之外,接下来还将有5nm和4nm FinFET,而到了2020年则会开始3nm基于Gate All-Around (GAA)晶体管的最新工艺。除此之外,ASML则确认了其光刻机使用EUV加上大数字孔径可以实现1.5nm的特征尺寸从而可望支持摩尔定律发展到2030年。近些年来,...