台积电发狠 今年就试产16nm

• Cherish241006 发布于
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曾经有客户希望台积电的工艺更新换代步伐能够放缓一些，但无论从技术还是从商业角度讲，台积电显然都不可能这么做，甚至还要加快速度，已经决定将16nm FinFET工艺的试产时间从2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用极紫外光刻技术制造10nm的芯片。 台积电此举显然是为了应付GlobalFoundries、三星电子的激烈竞争，这两家代工厂都已经宣布很快就会上马FinFET立体晶体管...